超致MOS管一種半導(dǎo)體器件，常用于開關(guān)電源，在應(yīng)用開關(guān)電源不同，所以在應(yīng)用超致MOS管選型時(shí)還是有需要注意的方面，接下來看看相關(guān)內(nèi)容。

　　1、N溝道型和P溝道型的選擇：

　　由于制造工藝的不同，MOS管分為N溝道和P溝道，通常P溝道的導(dǎo)通電阻高于N溝道，因此P溝道的導(dǎo)通消耗較大. 這是選擇MOS管時(shí)需要注意的一點(diǎn)。 一般來說，對于低邊開關(guān)應(yīng)用場景，N溝道MOS管因其驅(qū)動(dòng)方便、選擇靈活等優(yōu)點(diǎn)成為首選。 在高邊開關(guān)應(yīng)用場景中，驅(qū)動(dòng)P溝道MOS管比較簡單，但是導(dǎo)通電阻比較大，價(jià)格也比較高。

　　2、選擇散熱要求：

　　對于散熱要求，技術(shù)人員應(yīng)該考慮兩種情況：現(xiàn)實(shí)場景和比較壞情況。 購買時(shí)，通常建議從事這項(xiàng)工作的技術(shù)人員進(jìn)行比較壞情況的計(jì)算。 這個(gè)結(jié)果提供了更大的安全邊際并保障系統(tǒng)不會(huì)失敗。 MOS管數(shù)據(jù)手冊中也有需要注意的測量數(shù)據(jù)，如封裝器件的半導(dǎo)體結(jié)與環(huán)境之間的熱阻、高結(jié)溫等。

　　器件結(jié)溫=高環(huán)境溫度+熱阻*功耗乘積。 我們可以根據(jù)這個(gè)公式=12xRDS(ON)計(jì)算出系統(tǒng)的大功耗。

　　另一點(diǎn)是設(shè)計(jì)人員已經(jīng)確定了通過器件的大電流，因此可以計(jì)算不同溫度下的 RDS(ON)。 在處理簡單的熱模型時(shí)，設(shè)計(jì)人員還需要考慮半導(dǎo)體、設(shè)備外殼、外殼和環(huán)境的熱容量。

　　綜合上述，超致MOS管在選型時(shí)，可以根據(jù)N溝道型和P溝道型來選擇，還要注意散熱要求。